一、静电防护：避免栅极氧化膜击穿

1. 栅极结构特性
   三菱IGBT模块采用MOSFET结构，栅极通过氧化膜与发射极隔离，氧化膜厚度极薄，击穿电压仅为20-30V。静电放电（ESD）是导致栅极击穿的主要原因。

2. 操作规范

   • 避免直接触摸驱动端子：操作时需佩戴防静电手环，或通过大电阻（如1MΩ）接地放电后再接触模块。
   • 焊接与配线要求：焊接作业前确保焊机接地良好；使用导电材料连接驱动端子时，需在配线完成后接入模块，避免未配线时模块悬空。
   • 存储与运输：使用防静电容器，避免模块暴露在干燥或灰尘环境中，防止静电积累。

二、驱动电路设计：确保信号稳定性

1. 驱动电压限制
   • 栅极-发射极电压（VGE）需严格控制在±20V以内，超出范围可能导致氧化膜击穿。
   • 栅极开路保护：在栅极与发射极间并联10-30kΩ电阻，防止栅极悬空时因集电极电压变化导致栅极电位升高，引发模块损坏。
2. 信号传输优化
   • 双绞线应用：驱动信号线采用双绞线，减少寄生电感，抑制振荡电压。
   • 光电耦合器隔离：使用高共模抑制比（CMR>10kV/μs）、传输延迟时间（tp<0.8μs）的光电耦合器（如6N137、TCP250），确保驱动信号与主电路隔离。

三、散热管理：控制结温与热阻

1. 散热器选型与安装
   • 材料与表面处理：散热器表面光洁度需小于10μm，平面扭曲小于10μm，以减少接触热阻。
   • 导热硅脂使用：在散热器与模块间涂抹薄层导热硅脂（如硅基或氮化硼基），确保均匀覆盖，避免气泡或过量堆积。
   • 安装力矩控制：按说明书要求拧紧固定螺丝，力矩不足会导致热阻增加或松动，力矩过大可能损坏模块底板。
2. 散热风扇与温度监控
   • 配备散热风扇时，需定期检查运行状态，防止风扇故障导致模块过热。
   • 在模块附近安装温度传感器，当温度超过阈值时触发报警或停机保护。

四、电气保护：防止过流、过压与浪涌

1. 过流保护
   • 设计快速响应的过流检测电路，在短路或过载时立即切断驱动信号，避免模块因过热损坏。
   • 并联使用时，需确保各模块电流均衡，可通过匹配VCE(sat)参数或采用均流电阻实现。
2. 过压与浪涌抑制
   • 吸收电路设计：在模块集电极-发射极间并联RC缓冲电路或压敏电阻，抑制开关过程中的浪涌电压。
   • 栅极电阻调整：在栅极串联小电阻（如10-30Ω），抑制振荡电压，但需平衡开关速度与损耗。

五、操作与存储规范：延长使用寿命

1. 操作环境要求
   • 避免在腐蚀性气体、高湿度或恶劣温度环境中使用模块，防止金属部件氧化或绝缘材料老化。
   • 操作台面需接地良好，减少静电积累风险。
2. 存储条件
   • 温度范围：5-35℃；湿度范围：45-75%RH。
   • 避免阳光直射或温度剧烈变化，防止模块表面结露。